Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
Vincze Andrej ; E030  Kováč Jaroslav (škol.) ; E030
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2006 . - 148 s
elektronika polovodičové štruktúry heteroštruktúry fyzika polovodičov epitaxia kvantové drôty príprava tenkých vrstiev GaAs
dizertačná práca
DAI - Dizertačné a habilitačné práce