Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 75  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu + druh.dok = "^stu_us_auth stu45748 xcla^"
  1. Simulation Analysis of Nanomembrane GaAs HEMT on Foreign Substrates / aut. Aleš Chvála, Jaroslav jr Kováč, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Filip Gucmann, Juraj Marek, Chao Yuan, Martin Florovič
    Chvála Aleš ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Gucmann Filip Marek Juraj ; 033000 Yuan Chao Florovič Martin ; 033000
    WOCSDICE-EXMATEC 2024 : . [2] s.
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  2. Thermal properties of Ga2O3 thin films and devices prepared on sapphire and SiC substrates by liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Milan Ťapajna, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Alica Rosová, Peter Nádaždy, Peter Eliáš, Fridrich Egyenes, Fedor Hrubišák, Hemendra Chouhan, Javad Keshtkar, Xiang Zheng, James W Pomeroy, Martin Kuball, Xinglin Xiao, Yali Mao, Biwei Meng, Guoliang Ma, Chao Yuan
    Gucmann Filip  Ťapajna Milan Hušeková Kristína Dobročka Edmund Rosová Alica Nádaždy Peter Eliáš Peter Egyenes Fridrich Hrubišák Fedor ; 033000 Chouhan Hemendra Keshtkar Javad Zheng Xiang Pomeroy James W. Kuball Martin Xiao Xinglin Mao Yali Meng Biwei Ma Guoliang Yuan Chao
    Oxide-based Materials and Devices 15 : . Art. no 1288705 [12] s.
    silicon carbide Sapphire Field effect transistors Metalorganic chemical vapor deposition Thin film devices electrical conductivity Interfaces semiconductors thin films Gallium oxide
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  3. Effect of off-cut sapphire substrate on the structural and optical properties of (-201) β-Ga2O3 grown by liquid-injection MOCVD / aut. H Chouhan, K Hušeková, E Dobročka, M Ťapajna, J Keshtkar, O Pohorelec, Fedor Hrubišák, Miroslav Mikolášek, F Gucmann
    Chouhan H.  Hušeková K. Dobročka E. Ťapajna M. Keshtkar J. Pohorelec O. Hrubišák Fedor ; 033000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Gucmann F.
    ADEPT 2024 : . S. 117-120
    β-Ga2O3 LI-MOCVD heteroepitaxy off-cut substrate vicinal substrate
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  4. Gallium oxide for applications in electronics and optoelectronics / aut. F Gucmann, K Hušeková, A Rosová, E Dobročka, F Egyenes, Fedor Hrubišák, J Keshtkar, H Chouhan, M Krettová, P Eliáš, P Nádaždy, D Gregušová, O Pohorelec, A Kozak, M Ťapajna
    Gucmann F.  Hušeková K. Rosová A. Dobročka E. Egyenes F. Hrubišák Fedor ; 033000 Keshtkar J. Chouhan H. Krettová M. Eliáš P. Nádaždy P. Gregušová D. Pohorelec O. Kozak A. Ťapajna M.
    ADEPT 2024 : . S. 13-16
    Ga2O3 MOCVD electrical properties thermal properties optical properties
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  5. Vertical GaN transistor with semi-insulating channel / aut. Peter Šichman, Roman Stoklas, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Boris Hudec, Štefan Haščík, Tamotsu Hashizume, Aleš Chvála, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Šichman Peter  Stoklas Roman Hasenöhrl Stanislav Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Hudec Boris Haščík Štefan Hashizume Tamotsu Chvála Aleš ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Physica Status Solidi (A)-Applications and Materials Science . Vol. 220, Iss. 16 (2023), Art. no. 2200776 [6] s.
    C doping GaN Semi-insulating vertical transistors
    https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.202200776
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  6. 3D Thermal Simulation of GaAs-Based HEMT on Foreign Substrates / aut. Aleš Chvála, Jaroslav jr Kováč, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Filip Gucmann, Juraj Marek, Martin Florovič
    Chvála Aleš ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Gucmann Filip Marek Juraj ; 033000 Florovič Martin ; 033000
    MicDAT 2023 : . S. 20-23
    High electron mobility transistor GaAs nanomembranes Epitaxial lift-off technique 3D thermal simulation GaAs Al2O3 Si SiC diamond substrates
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  7. Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Peter Nádaždy, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Juraj Priesol, Fridrich Egyenes, Alexander Šatka, Alica Rosová, Milan Ťapajna
    Gucmann Filip  Nádaždy Peter Hušeková Kristína Dobročka Edmund Priesol Juraj ; 033000 Egyenes Fridrich Šatka Alexander ; 033000 Rosová Alica Ťapajna Milan
    Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 156, (2023), Art. no. 107289 [9] s.
    Ga2O3 Gallium oxide thermal stability MOCVD degradation
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800122008162
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  8. Structure and thermal stability of ε/κ-Ga2O3 films deposited by liquid-injection MOCVD / aut. Edmund Dobročka, Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Peter Nádaždy, Fedor Hrubišák, Fridrich Egyenes, Alica Rosová, Miroslav Mikolášek, Milan Ťapajna
    Dobročka Edmund  Gucmann Filip Hušeková Kristína Nádaždy Peter Hrubišák Fedor ; 033000 Egyenes Fridrich Rosová Alica Mikolášek Miroslav ; 033000 Ťapajna Milan
    Materials . Vol. 16, iss. 1 (2023), Art. no. 20 [14] s.
    Ga2O3 liquid-injection MOCVD thermal stability X-ray diffraction TEM
    https://www.mdpi.com/1996-1944/16/1/20
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  9. Transport properties of Si-doped β-Ga2O3 grown by liquid-injection MOCVD / aut. Fridrich Egyenes, Filip Gucmann, Edmund Dobročka, Miroslav Mikolášek, Kristína Hušeková, Milan Ťapajna
    Egyenes Fridrich  Gucmann Filip Dobročka Edmund Mikolášek Miroslav ; 033000 Hušeková Kristína Ťapajna Milan
    ASDAM 2022 : . S. 119-122
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9966793
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  10. Nanofriction Properties of Mono- and Double-Layer Ti3C2TX MXenes / aut. Andrii Kozak, Monika Hofbauerová, Yuriy Halahovets, Lenka Pribusová Slušná, Marián Precner, Matej Mičušík, Ľubomír Orovčík, Martin Hulman, Anastasiia Stepura, Mária Omastová, Peter Šiffalovič, Milan Ťapajna
    Kozak Andrii  Hofbauerová Monika Halahovets Yuriy Pribusová Slušná Lenka Precner Marián Mičušík Matej Orovčík Ľubomír Hulman Martin Stepura Anastasiia ; 045210 Omastová Mária Šiffalovič Peter Ťapajna Milan
    ACS Applied Materials & Interfaces . Vol. 14, iss. 32 (2022), s. 36815-36824
    https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.2c08963
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.