Výsledky vyhľadávania

  1. Models for the self-heating evaluation of a gallium nitride-based high electron mobility transistor / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Martin Weis, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Weis Martin ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 36, No. 1 (2021), Art. no. 025019 [9] s.
    Gallium Nitride field-effect transistor High electron mobility transistor average temperature thermal resistance
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  2. Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Steve Stoffels, Brice De Jaeger, Stefaan Decoutere
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Stoffels Steve De Jaeger Brice Decoutere Stefaan
    IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 68, No. 1 (2021), s. 216-221
    AlGaN/GaN electric field electrical stress EBIC Focused Ion Beam Scanning electron microscopy Schottky diode TCAD simulation
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9288930
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  3. Deriving the exchange times for a model of trap-assisted tunnelling / aut. Juraj Racko, Miroslav Mikolášek, Magdaléna Kadlečíková, Aleš Chvála
    Racko Juraj  Mikolášek Miroslav ; 033000 Kadlečíková Magdaléna ; 033000 Benko Peter ; 033000 Chvála Aleš ; 033000
    Journal of Electrical Engineering : . Vol. 71, No. 1 (2020), s. 31-36
    trap-assisted tunnelling capture and emission probability exchange times
    https://content.sciendo.com/view/journals/jee/71/1/article-p31.xml?language=de
    článok z periodika
    ADN - 13/NOVÉ Vedecké práce v domácich časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
    článok

    článok

  4. Low-leakage ESD structures in 130nm CMOS technology / aut. Lukáš Nagy, Aleš Chvála, Viera Stopjaková
    Nagy Lukáš ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 Stopjaková Viera ; 033000
    Radioelektronika 2020 : . S. 177-180
    low-power Low-Voltage Negative Voltage ESD TCAD simulation ESD VerilogA Model
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  5. Design of test equipment for on-die hard switching and dynamic on-resistance measurement of GaN HEMTs / aut. Jozef Kozárik, Juraj Marek, Tomáš Debnár, Aleš Chvála, Krisztián Gašparek, Daniel Donoval
    Kozárik Jozef ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Debnár Tomáš ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Gašparek Krisztián ; 033000 Donoval Daniel ; 033000
    Radioelektronika 2020 : . S. 201-204
    GaN HEMT dynamic resistance hard switching on-die measurement
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  6. Electrically active defects in SiC schottky diodes / aut. Jakub Drobný, Aleš Chvála, Juraj Marek, Arpád Kósa, Angelo Alberto Messina, Daniel Donoval, Ľubica Stuchlíková
    Drobný Jakub ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Messina Angelo Alberto Donoval Daniel ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
    SSSI 2020 : . S. 23-24
    článok zo zborníka
    AFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií
    článok

    článok

  7. AlGaN/GaN HEMT channel temperature determination utilizing external heater / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Szobolovszký Robert Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 35, No. 2 (2020), Art. no. 025006 [6] s.
    dissipated power temperature profile HEMT FET GaN AlGaN
    https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab5d85
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    (1) - článok
    článok

    článok

  8. Electrothermal circuit model of SiC power MOSFET based on neural network / aut. Aleš Chvála, Ľuboš Černaj, Juraj Marek, Jozef Kozárik, Daniel Donoval
    Chvála Aleš ; 033000  Černaj Ľuboš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Donoval Daniel ; 033000
    SiCE-2020 : . [15] s.
    http://sice-2020.imm.cnr.it/index.asp?cont=videos&expand=3#3
    http://sice-2020.imm.cnr.it/videos.asp?cont=Session%20III-Reliability%20and%20Applications-Chairs%20A.%20IMBRUGLIA-A.%20MESSINA-STMicroelectronics-Italy/6.%20Electrothermal%20Circuit%20Model%20o%20-%20A.%20Chvala-SUT-Bratislava-Slovakia.mp4
    článok z audiovizuálneho dokumentu
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    článok

    článok

  9. Electrical and DLTS Characterization of Gate Interfaces in GaN-based Trench-gate semi-vertical MOS devices / aut. Juraj Marek, Miroslav Mikolášek, Jakub Drobný, Jozef Kozárik, Aleš Chvála, K Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Shuzhen You, Stefaan Decoutere, Ľubica Stuchlíková
    Marek Juraj ; 033000  Mikolášek Miroslav ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Geens K. Borga Matteo Liang Hu You Shuzhen Decoutere Stefaan Stuchlíková Ľubica ; 033000
    SSSI 2020 : . S. 57-58
    článok zo zborníka
    AFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií
    článok

    článok

  10. Evaluation and characterisation of current transport properties of SiC schottky diodes / aut. Aleš Chvála, Juraj Marek, Jakub Drobný, Ľubica Stuchlíková, Angelo Alberto Messina, Daniel Donoval
    Chvála Aleš ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Messina Angelo Alberto Donoval Daniel ; 033000
    SSSI 2020 : . S. 17-18
    článok zo zborníka
    AFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií
    článok

    článok