Výsledky vyhľadávania

  1. Characterization of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic gates supported by circuit and device simulations / aut. Aleš Chvála
    Chvála Aleš ; 033000  Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Blaho Michal Gregušová Dagmar Kuzmík Ján Šatka Alexander ; 033000
    WOCSDICE 2019 : . [2] s.
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    článok

    článok

  2. Device and circuit models of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic cells comprising D- and E-mode HEMT / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Marek, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Alexander Šatka, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík
    Chvála Aleš ; 033000  Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Blaho Michal Gregušová Dagmar Kuzmík Ján
    Journal of Circuits Systems and Computers . Vol. 28, No. 1 (2019), Art. no. 1940009 [10] s.
    monolithic integration NAND and NOR logic cells InAlN/GaN HEMT 2D device modeling and simulation HEMT circuit model
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  3. Characterization of monolithic InAlN/GaN NAND logic cell supported by circuit and device simulations / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Marek, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Michal Blaho, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík, Alexander Šatka
    Chvála Aleš ; 033000  Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Blaho Michal Gregušová Dagmar Kuzmík Ján Šatka Alexander ; 033000
    IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 65, No. 6 (2018), s. 2666-2669
    Circuit and device simulations InAlN/GaN HEMT monolithic integration NAND logic cell
    https://ieeexplore.ieee.org/document/8352764/
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  4. Device and circuit models of InAlN/GaN D- and Dual-Gate E-Mode HEMTs for design and characterisation of monolithic NAND logic cell / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Alexander Šatka, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík
    Chvála Aleš ; 033000  Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Blaho Michal Gregušová Dagmar Kuzmík Ján
    DTIS 2018 : . USB, [6] s.
    monolithic integration NAND logic cell InAlN/GaN HEMT 2D device modeling and simulation HEMT circuit model
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  5. Technology and performance of E/D-mode InAlN/GaN HEMTs for mixed-signal elect / aut. Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Štefan Haščík, Ján Kuzmík, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka
    Blaho Michal  Gregušová Dagmar Haščík Štefan Kuzmík Ján Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000
    MIKON 2018 : . S. 440-441
    InAlN/GaN HEMTs mixed-signal electronics
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  6. Simulation analysis of InAlN/GaN monolithic NAND logic cell / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Marek, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Martin Vilhan, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík, Alexander Šatka
    Chvála Aleš ; 033000  Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Vilhan Martin ; 034000 Blaho Michal Gregušová Dagmar Kuzmík Ján Šatka Alexander ; 033000
    ASDAM 2018 : . S. 167-170
    https://ieeexplore.ieee.org/document/8544508
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  7. Determination of secondary-ions yield in SIMS depth profiling of Si, Mg, and C ions implanted GaN epitaxial layers / aut. Milan Ťapajna, Andrej Vincze, Pavol Noga, Jozef Dobrovodský, Andrea Šagátová, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová
    Ťapajna Milan  Vincze Andrej Noga Pavol ; 067000 Dobrovodský Jozef ; 067000 Šagátová Andrea ; 036000 Hasenöhrl Stanislav Gregušová Dagmar Kuzmík Ján
    ASDAM 2018 : . S. 141-144
    https://ieeexplore.ieee.org/document/8544657
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  8. Annealing, temperature, and bias-induced threshold voltage instabilities in integrated E/D-mode InAlN/GaN MOS HEMTs / aut. Matej Blaho, Dagmar Gregušová, Štefan Haščík, Milan Ťapajna, Karol Fröhlich, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Blaho Matej  Gregušová Dagmar Haščík Štefan Ťapajna Milan Fröhlich Karol Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Applied Physics Letters . Vol. 111, Iss. 3 (2017), Art. no. 033506 [4] s.
    http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4995235
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  9. Towards standard digital cells on InAlN/GaN heterostructure / aut. Lukáš Nagy, Aleš Chvála, Viera Stopjaková, Michal Blaho, Ján Kuzmík, Dagmar Gregušová, Juraj Priesol, Alexander Šatka
    Nagy Lukáš ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 Stopjaková Viera ; 033000 Blaho Michal Kuzmík Ján Gregušová Dagmar Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000
    ADEPT 2017 : . S. 255-258
    InAlN/GaN heterostructure HEMT inverter standard cells
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  10. Performance analysis of monolithically integrated depletion-/enhancement-mode InAlN/GaN heterostructure HEMT transistors / aut. Lukáš Nagy, Aleš Chvála, Viera Stopjaková, Michal Blaho, Ján Kuzmík, Dagmar Gregušová, Alexander Šatka
    Nagy Lukáš ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 Stopjaková Viera ; 033000 Blaho Michal Kuzmík Ján Gregušová Dagmar Šatka Alexander ; 033000
    Applied electronics 2017 : . S. 129-132
    InAlN/GaN heterostructure monolithic integration HEMT transistor digital inverter
    http://ieeexplore.ieee.org/document/8053599/
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    článok

    článok