Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 1  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu + druh.dok = "^stu_us_auth stu70421 ddz^"

  1. 1.Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN

    Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN : č.ved.odb.: 26-13-9, dát. obhaj. 1.2.2010
    Čičo Karol  Kuzmík Ján (škol.)
    Bratislava : Elektrotechnický ústav SAV, 2009 . - 107 s
    MOS štruktúry tenké vrstvy meranie dielektrických veličín tranzistory
    dizertačná práca
    Fakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné
    FEI1000
    kniha

    kniha