Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 46  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu + druh.dok = "^stu_us_auth stu70421 xcla^"

  1. 1.Charakterizácia polovodičových štruktúr pre vertikálne GaN tranzistory metódami SEM

    Charakterizácia polovodičových štruktúr pre vertikálne GaN tranzistory metódami SEM / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, František Uherek, Daniel Haško, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Ján Kuzmík
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Uherek František ; 033000 Haško Daniel Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Kuzmík Ján
    Fotonika 2020 : . S. 11-14
    vertikálny GaN tranzistor rastrovacia elektrónová mikroskopia katódoluminiscencia
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  2. 2.Characterization of In-rich InAlN layers by panchromatic and spectrally resolved cathodoluminescence

    Characterization of In-rich InAlN layers by panchromatic and spectrally resolved cathodoluminescence / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Ján Kuzmík, Stanislav Hasenöhrl, Prerna Chauhan, František Uherek, Daniel Haško
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján Hasenöhrl Stanislav Chauhan Prerna Uherek František ; 033000 Haško Daniel
    Solid State Surfaces and Interfaces : . S. 76-77
    článok zo zborníka
    AFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií
    článok

    článok

  3. 3.Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure

    Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Šichman Peter  Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
    GaN Vertical transistor Semi-insulating
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  4. 4.A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: a complete depth-resolved investigation

    A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: a complete depth-resolved investigation / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Ľubomír Vančo, Peter Šiffalovič, Edmund Dobročka, Daniel Machajdík, Alica Rosová, Filip Gucmann, Jaroslav jr Kováč, Igor Matko, Martin Kuball, Ján Kuzmík
    Chauhan Prerna  Hasenöhrl Stanislav Vančo Ľubomír ; 902640 Šiffalovič Peter Dobročka Edmund Machajdík Daniel Rosová Alica Gucmann Filip Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Matko Igor Kuball Martin Kuzmík Ján
    CrystEngComm . Vol. 22, iss. 1 (2020), s. 130-141
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  5. 5.Využitie katódoluminiscencie pre diagnostiku InAlN vrstie

    Využitie katódoluminiscencie pre diagnostiku InAlN vrstie / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, František Uherek, Stanislav Hasenöhrl, Prerna Chauhan, Ján Kuzmík
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Uherek František ; 033000 Hasenöhrl Stanislav Chauhan Prerna Kuzmík Ján
    Fotonika 2019 : . S. 68-71
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  6. 6.Device and circuit models of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic cells comprising D- and E-mode HEMT

    Device and circuit models of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic cells comprising D- and E-mode HEMT / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Marek, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Alexander Šatka, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík
    Chvála Aleš ; 033000  Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Blaho Michal Gregušová Dagmar Kuzmík Ján
    Journal of Circuits Systems and Computers . Vol. 28, No. 1 (2019), Art. no. 1940009 [10] s.
    monolithic integration NAND and NOR logic cells InAlN/GaN HEMT 2D device modeling and simulation HEMT circuit model
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  7. 7.Cathodoluminescence analysis of In-rich InAlN layers

    Cathodoluminescence analysis of In-rich InAlN layers / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, František Uherek, Stanislav Hasenöhrl, Prerna Chauhan, Ján Kuzmík
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Uherek František ; 033000 Hasenöhrl Stanislav Chauhan Prerna Kuzmík Ján
    WOCSDICE 2019 : . [2] s.
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    článok

    článok

  8. 8.Generation of hole gas in non-inverted InAl(Ga)N/GaN heterostructures

    Generation of hole gas in non-inverted InAl(Ga)N/GaN heterostructures / aut. Stanislav Hasenöhrl, Prerna Chauhan, Edmund Dobročka, Roman Stoklas, Ľubomír Vančo, Marián Veselý, Farah Bouazzaoui, Marie-Pierre Chauvat, Pierre Ruterana, Ján Kuzmík
    Hasenöhrl Stanislav  Chauhan Prerna Dobročka Edmund Stoklas Roman Vančo Ľubomír ; 902640 Veselý Marián ; 902640 Bouazzaoui Farah Chauvat Marie-Pierre Ruterana Pierre Kuzmík Ján
    Applied Physics Express . Vol. 12, iss. 1 (2019), s. 14001-14001
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  9. 9.Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD

    Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Marie-Pierre Chauvat, A Minj, Filip Gucmann, Ľubomír Vančo, Jaroslav jr Kováč, S Kret, Pierre Ruterana, Martin Kuball, Peter Šiffalovič, Ján Kuzmík
    Chauhan Prerna  Hasenöhrl Stanislav Dobročka Edmund Chauvat Marie-Pierre Minj A. Gucmann Filip Vančo Ľubomír ; 902640 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kret S. Ruterana Pierre Kuball Martin Šiffalovič Peter Kuzmík Ján
    Journal of Applied Physics . 125, iss. 10 (2019), s. 5304-5304
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  10. 10.Characterization of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic gates supported by circuit and device simulations

    Characterization of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic gates supported by circuit and device simulations / aut. Aleš Chvála
    Chvála Aleš ; 033000  Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Blaho Michal Gregušová Dagmar Kuzmík Ján Šatka Alexander ; 033000
    WOCSDICE 2019 : . [2] s.
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    článok

    článok