Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 75  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu + druh.dok = "^stu_us_auth stu80446 xcla^"

  1. 1.Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD

    Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Peter Nádaždy, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Juraj Priesol, Fridrich Egyenes, Alexander Šatka, Alica Rosová, Milan Ťapajna
    Gucmann Filip  Nádaždy Peter Hušeková Kristína Dobročka Edmund Priesol Juraj ; 033000 Egyenes Fridrich Šatka Alexander ; 033000 Rosová Alica Ťapajna Milan
    Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 156, (2023), Art. no. 107289 [9] s.
    Ga2O3 Gallium oxide thermal stability MOCVD degradation
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800122008162
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  2. 2.EBIC analysis of semi-insulating GaN/Si-doped GaN-on-GaN test structures for vertical GaN transistors

    EBIC analysis of semi-insulating GaN/Si-doped GaN-on-GaN test structures for vertical GaN transistors / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Ján Kuzmík, František Uherek
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Kuzmík Ján Uherek František ; 033000
    WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 94-95
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  3. 3.Cross-sectional SEM-EBIC analysis of semi-vertical GaN power diodes

    Cross-sectional SEM-EBIC analysis of semi-vertical GaN power diodes / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Matteo Borga, A Minj, Benoit Bakeroot, Karen Geens
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Borga Matteo Minj A. Bakeroot Benoit Geens Karen
    ASDAM 2022 : . S. 83-87
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9966747
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  4. 4.On the preparation of GaN device cross-sections for EBIC analysis

    On the preparation of GaN device cross-sections for EBIC analysis / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Daniel Haško, František Uherek
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Haško Daniel Uherek František ; 033000
    Fotonika 2022 : . S. 37-40
    Cross-section mechanical polishing nano-polishing grinding vertical GaN EBIC
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  5. 5.Charakterizácia poly-AlN podložiek metódami rastrovacej elektrónovej mikroskopie

    Charakterizácia poly-AlN podložiek metódami rastrovacej elektrónovej mikroskopie / aut. Alexander Šatka, Juraj Priesol, Andrej Vincze
    Šatka Alexander ; 033000  Priesol Juraj ; 033000 Vincze Andrej
    Fotonika 2022 : . S. 41-44
    poly-AlN širokopásmový polovodič katódoluminiscencia rastrovacia elektrónová mikroskopia energetická disperzná röntgenová spektroskopia
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  6. 6.Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique

    Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Steve Stoffels, Brice De Jaeger, Stefaan Decoutere
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Stoffels Steve De Jaeger Brice Decoutere Stefaan
    IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 68, No. 1 (2021), s. 216-221
    AlGaN/GaN electric field electrical stress EBIC Focused Ion Beam Scanning electron microscopy Schottky diode TCAD simulation
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9288930
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  7. 7.Analysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: Role of deep levels

    Analysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: Role of deep levels / aut. Roman Stoklas, Aleš Chvála, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Štefan Haščík, Juraj Priesol, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Stoklas Roman  Chvála Aleš ; 033000 Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Haščík Štefan Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 68, No. 5 (2021), s. 2365-2371
    Carrier compensation electrical breakdown Semi-insulating simulation space-charge-limited current Vertical transistor
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9384237
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  8. 8.Investigation of EBIC line profiles at the p-n junction by numerical simulations using Monte Carlo method

    Investigation of EBIC line profiles at the p-n junction by numerical simulations using Monte Carlo method / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Karen Geens
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Geens Karen
    SURFINT - SREN VII : . S. 49-50
    článok zo zborníka
    AFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  9. 9.Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure

    Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Šichman Peter  Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
    GaN Vertical transistor Semi-insulating
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  10. 10.Charakterizácia polovodičových štruktúr pre vertikálne GaN tranzistory metódami SEM

    Charakterizácia polovodičových štruktúr pre vertikálne GaN tranzistory metódami SEM / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, František Uherek, Daniel Haško, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Ján Kuzmík
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Uherek František ; 033000 Haško Daniel Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Kuzmík Ján
    Fotonika 2020 : . S. 11-14
    vertikálny GaN tranzistor rastrovacia elektrónová mikroskopia katódoluminiscencia
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok