Výsledky vyhľadávania

  1. Vysoko-výkonové normálne-zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN : dát. obhaj. 23.9.2014, č. ved. odb. 5-2-13
    Jurkovič Michal ; E030 
    Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2014
    FEI ; Dátum obhajoby : 23.09.2014 ; Študijný program : 99 . - 107 s AUTOREF. 2014, 33 s.
    Mikroelektronika Microelectronics breakdown výkon GaN MOS
    http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=84348
    dizertačná práca
    DAI - Dizertačné a habilitačné práce
    Fakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné
    FEI1000
    kniha

    kniha