Výsledky vyhľadávania
- Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Steve Stoffels, Brice De Jaeger, Stefaan Decoutere
Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Stoffels Steve De Jaeger Brice Decoutere Stefaan
IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 68, No. 1 (2021), s. 216-221
AlGaN/GaN electric field electrical stress EBIC Focused Ion Beam Scanning electron microscopy Schottky diode TCAD simulation
https://ieeexplore.ieee.org/document/9288930
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
článok
- Models for the self-heating evaluation of a gallium nitride-based high electron mobility transistor / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Martin Weis, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Weis Martin ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
Semiconductor Science and Technology . Vol. 36, No. 2 (2021), Art. no. 025019 [9] s.
Gallium Nitride field-effect transistor High electron mobility transistor average temperature thermal resistance
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisochčlánok
- Návrh a príprava TLP testovacieho pracoviska pre elektrostatické ochranné prvky
Kobulnický Peter ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 (škol.)
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2020
FEI ; Dátum obhajoby : 09.06.2020 ; Študijný odbor : elektrotechnika ; Študijný program : I-EN . - 56 s.
https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=2DE4D0DBB221E90D1D8DFEBEC259&seo=CRZP-detail-kniha
diplomová práca
kniha
- Simulácia a modelovanie elektrotepelných vlastností výkonového DMOS tranzistora
Potoma Peter ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 (škol.)
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2020
FEI ; Dátum obhajoby : 09.06.2020 ; Študijný odbor : elektrotechnika ; Študijný program : I-EN . - 59 s.
https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=C67292DEA65D7A08E022FCCAC3F9&seo=CRZP-detail-kniha
diplomová prácakniha
- Edukačná hra o výkonových tranzistoroch
Marochok Stanislav ; 035000 Chvála Aleš ; 033000 (škol.)
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2020
FEI ; Dátum obhajoby : 01.07.2020 ; Študijný odbor : informatika ; Študijný program : B-API . - 48 s.
https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=201CE56335A527AB050391791929&seo=CRZP-detail-kniha
bakalárska prácakniha
- Deriving the exchange times for a model of trap-assisted tunnelling / aut. Juraj Racko, Miroslav Mikolášek, Magdaléna Kadlečíková, Aleš Chvála
Racko Juraj Mikolášek Miroslav ; 033000 Kadlečíková Magdaléna ; 033000 Benko Peter ; 033000 Chvála Aleš ; 033000
Journal of Electrical Engineering : . Vol. 71, No. 1 (2020), s. 31-36
trap-assisted tunnelling capture and emission probability exchange times
https://content.sciendo.com/view/journals/jee/71/1/article-p31.xml?language=de
článok z periodika
ADN - 13/NOVÉ Vedecké práce v domácich časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUSčlánok
- Modeling of HEMT device using neural network / aut. Ľuboš Černaj, Aleš Chvála, Juraj Marek, Daniel Donoval, Jozef Kozárik, Tomáš Závodník
Černaj Ľuboš ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Závodník Tomáš ; 033000
ADEPT 2020 : . S. 163-166
GaN HEMT neural network
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok
- Impact of repetitive inductive switching on degradation of power SiC MOSFETs / aut. Juraj Marek, Jozef Kozárik, Aleš Chvála, Michal Minárik, Pavol Špánik, Martin Jagelka, Martin Donoval
Marek Juraj ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Minárik Michal ; 033000 Špánik P. Jagelka Martin ; 033000 Donoval Martin ; 030690
ADEPT 2020 : . S. 49-52
4H-SiC MOSFETs electrical parameters degradation hot carriers repetitive unclamped inductive switching
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok
- Design of double-pulse tester for on-die measurement of GaN HEMT dynamic on-resistance / aut. Jozef Kozárik, Juraj Marek, Aleš Chvála, Michal Minárik, Martin Donoval, Martin Jagelka, Daniel Donoval
Kozárik Jozef ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Minárik Michal ; 033000 Donoval Martin ; 030690 Jagelka Martin ; 033000 Donoval Daniel ; 033000
ADEPT 2020 : . S. 111-114
GaN HEMT dynamic on-resistance double-pulse test on-die testing
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok
- Analysis and optimization of power module supported by new TCAD simulation methodology for 3-D electro-physical and advanced thermal analysis / aut. Patrik Príbytný, Aleš Chvála, Juraj Marek, Daniel Donoval
Príbytný Patrik ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000
ADEPT 2020 : . S. 53-56
power diode 3-D numerical modeling and simulation thermal management power and heat dissipation
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok