Výsledky vyhľadávania

  1. Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Steve Stoffels, Brice De Jaeger, Stefaan Decoutere
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Stoffels Steve De Jaeger Brice Decoutere Stefaan
    IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 68, No. 1 (2021), s. 216-221
    AlGaN/GaN electric field electrical stress EBIC Focused Ion Beam Scanning electron microscopy Schottky diode TCAD simulation
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9288930
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  2. Models for the self-heating evaluation of a gallium nitride-based high electron mobility transistor / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Martin Weis, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Weis Martin ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 36, No. 2 (2021), Art. no. 025019 [9] s.
    Gallium Nitride field-effect transistor High electron mobility transistor average temperature thermal resistance
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  3. Návrh a príprava TLP testovacieho pracoviska pre elektrostatické ochranné prvky
    Kobulnický Peter ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 (škol.)
    Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2020
    FEI ; Dátum obhajoby : 09.06.2020 ; Študijný odbor : elektrotechnika ; Študijný program : I-EN . - 56 s.

    https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=2DE4D0DBB221E90D1D8DFEBEC259&seo=CRZP-detail-kniha
    diplomová práca
    kniha

    kniha

  4. Simulácia a modelovanie elektrotepelných vlastností výkonového DMOS tranzistora
    Potoma Peter ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 (škol.)
    Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2020
    FEI ; Dátum obhajoby : 09.06.2020 ; Študijný odbor : elektrotechnika ; Študijný program : I-EN . - 59 s.

    https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=C67292DEA65D7A08E022FCCAC3F9&seo=CRZP-detail-kniha
    diplomová práca
    kniha

    kniha

  5. Edukačná hra o výkonových tranzistoroch
    Marochok Stanislav ; 035000  Chvála Aleš ; 033000 (škol.)
    Bratislava :
    STU v Bratislave FEI,
    2020
    FEI ; Dátum obhajoby : 01.07.2020 ; Študijný odbor : informatika ; Študijný program : B-API . - 48 s.

    https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=201CE56335A527AB050391791929&seo=CRZP-detail-kniha
    bakalárska práca
    kniha

    kniha

  6. Deriving the exchange times for a model of trap-assisted tunnelling / aut. Juraj Racko, Miroslav Mikolášek, Magdaléna Kadlečíková, Aleš Chvála
    Racko Juraj  Mikolášek Miroslav ; 033000 Kadlečíková Magdaléna ; 033000 Benko Peter ; 033000 Chvála Aleš ; 033000
    Journal of Electrical Engineering : . Vol. 71, No. 1 (2020), s. 31-36
    trap-assisted tunnelling capture and emission probability exchange times
    https://content.sciendo.com/view/journals/jee/71/1/article-p31.xml?language=de
    článok z periodika
    ADN - 13/NOVÉ Vedecké práce v domácich časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
    článok

    článok

  7. Modeling of HEMT device using neural network / aut. Ľuboš Černaj, Aleš Chvála, Juraj Marek, Daniel Donoval, Jozef Kozárik, Tomáš Závodník
    Černaj Ľuboš ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Závodník Tomáš ; 033000
    ADEPT 2020 : . S. 163-166
    GaN HEMT neural network
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  8. Impact of repetitive inductive switching on degradation of power SiC MOSFETs / aut. Juraj Marek, Jozef Kozárik, Aleš Chvála, Michal Minárik, Pavol Špánik, Martin Jagelka, Martin Donoval
    Marek Juraj ; 033000  Kozárik Jozef ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Minárik Michal ; 033000 Špánik P. Jagelka Martin ; 033000 Donoval Martin ; 030690
    ADEPT 2020 : . S. 49-52
    4H-SiC MOSFETs electrical parameters degradation hot carriers repetitive unclamped inductive switching
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  9. Design of double-pulse tester for on-die measurement of GaN HEMT dynamic on-resistance / aut. Jozef Kozárik, Juraj Marek, Aleš Chvála, Michal Minárik, Martin Donoval, Martin Jagelka, Daniel Donoval
    Kozárik Jozef ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Minárik Michal ; 033000 Donoval Martin ; 030690 Jagelka Martin ; 033000 Donoval Daniel ; 033000
    ADEPT 2020 : . S. 111-114
    GaN HEMT dynamic on-resistance double-pulse test on-die testing
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  10. Analysis and optimization of power module supported by new TCAD simulation methodology for 3-D electro-physical and advanced thermal analysis / aut. Patrik Príbytný, Aleš Chvála, Juraj Marek, Daniel Donoval
    Príbytný Patrik ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000
    ADEPT 2020 : . S. 53-56
    power diode 3-D numerical modeling and simulation thermal management power and heat dissipation
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok