Výsledky vyhľadávania

  1. Near-field analysis of GaP nanocones / aut. Dušan Pudiš, Petra Urbancová, Jozef Novák, Anton Kuzma, Ivana Lettrichová, Matej Goraus, Peter Eliáš, Agáta Laurenčíková, Daniel Jandura, Ľuboš Šušlik, Stanislav Hasenöhrl
    Pudiš Dušan  Urbancová Petra Novák Jozef Kuzma Anton ; 033000 Lettrichová Ivana Goraus Matej Eliáš Peter Laurenčíková Agáta Jandura Daniel Šušlik Ľuboš Hasenöhrl Stanislav
    Applied Surface Science . Vol. 539, (2021), Art. no. 148213 [6] s.
    nanocones near field GaP
    https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0169433220329706
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  2. A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: a complete depth-resolved investigation / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Ľubomír Vančo, Peter Šiffalovič, Edmund Dobročka, Daniel Machajdík, Alica Rosová, Filip Gucmann, Jaroslav jr Kováč, Igor Matko, Martin Kuball, Ján Kuzmík
    Chauhan Prerna  Hasenöhrl Stanislav Vančo Ľubomír ; 902640 Šiffalovič Peter Dobročka Edmund Machajdík Daniel Rosová Alica Gucmann Filip Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Matko Igor Kuball Martin Kuzmík Ján
    CrystEngComm . Vol. 22, iss. 1 (2020), s. 130-141
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  3. Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Šichman Peter  Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
    GaN Vertical transistor Semi-insulating
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  4. MoS2/GaP heterojunction - Formation and properties / aut. Jozef Novák, Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč
    Novák Jozef  Laurenčíková Agáta Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
    ADEPT 2020 : . S. 21-24
    metal dichalcogenides PN heterojunction spectral response
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  5. Twinned nanoparticle structures for surface enhanced Raman scattering / aut. Jozef Novák, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Agáta Laurenčíková, Jaroslav jr Kováč, Petra Urbancová, Dušan Pudiš
    Novák Jozef  Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Laurenčíková Agáta Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Urbancová Petra Pudiš Dušan
    Applied Surface Science . Vol. 528, (2020), Art. no. 146548 [5] s.
    Raman scattering Plasmonic nanostructures surface enhancement Patterning
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433220313052
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  6. Charakterizácia polovodičových štruktúr pre vertikálne GaN tranzistory metódami SEM / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, František Uherek, Daniel Haško, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Ján Kuzmík
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Uherek František ; 033000 Haško Daniel Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Kuzmík Ján
    Fotonika 2020 : . S. 11-14
    vertikálny GaN tranzistor rastrovacia elektrónová mikroskopia katódoluminiscencia
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  7. Characterization of In-rich InAlN layers by panchromatic and spectrally resolved cathodoluminescence / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Ján Kuzmík, Stanislav Hasenöhrl, Prerna Chauhan, František Uherek, Daniel Haško
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján Hasenöhrl Stanislav Chauhan Prerna Uherek František ; 033000 Haško Daniel
    Solid State Surfaces and Interfaces : . S. 76-77
    článok zo zborníka
    AFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií
    článok

    článok

  8. Využitie katódoluminiscencie pre diagnostiku InAlN vrstie / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, František Uherek, Stanislav Hasenöhrl, Prerna Chauhan, Ján Kuzmík
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Uherek František ; 033000 Hasenöhrl Stanislav Chauhan Prerna Kuzmík Ján
    Fotonika 2019 : . S. 68-71
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  9. Raman signal enhancement on Ag nanoparticles / aut. J Novák, Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Jaroslav jr Kováč, Ivan Novotný
    Novák J.  Laurenčíková Agáta Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Novotný Ivan ; 033000
    ADEPT 2019 : . S. 23-26
    nanocones surface enhancement Raman scattering
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  10. Effect of temperature and carrier gas on the properties of thick InxAl1-xN layer / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Ľubomír Vančo, Roman Stoklas, Jaroslav jr Kováč, Peter Šiffalovič, Ján Kuzmil
    Chauhan Prerna  Hasenöhrl Stanislav Dobročka Edmund Vančo Ľubomír ; 902640 Stoklas Roman Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Šiffalovič Peter Kuzmil Ján
    Applied Surface Science . Vol.470, (2019), s. 1-7
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok