Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 46  
Váš dotaz: Autor osobné meno = "Hušeková Kristína"
  1. Structure and thermal stability of ε/κ-Ga2O3 films deposited by liquid-injection MOCVD / aut. Edmund Dobročka, Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Peter Nádaždy, Fedor Hrubišák, Fridrich Egyenes, Alica Rosová, Miroslav Mikolášek, Milan Ťapajna
    Dobročka Edmund  Gucmann Filip Hušeková Kristína Nádaždy Peter Hrubišák Fedor ; 033000 Egyenes Fridrich Rosová Alica Mikolášek Miroslav ; 033000 Ťapajna Milan
    Materials . Vol. 16, iss. 1 (2023), Art. no. 20 [14] s.
    Ga2O3 liquid-injection MOCVD thermal stability X-ray diffraction TEM
    https://www.mdpi.com/1996-1944/16/1/20
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  2. Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Peter Nádaždy, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Juraj Priesol, Fridrich Egyenes, Alexander Šatka, Alica Rosová, Milan Ťapajna
    Gucmann Filip  Nádaždy Peter Hušeková Kristína Dobročka Edmund Priesol Juraj ; 033000 Egyenes Fridrich Šatka Alexander ; 033000 Rosová Alica Ťapajna Milan
    Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 156, (2023), Art. no. 107289 [9] s.
    Ga2O3 Gallium oxide thermal stability MOCVD degradation
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800122008162
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  3. NiO thin films for solar-blind photodetectors: Structure and electrical properties / aut. Javad Keshtkar, Ivan Hotový, Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Fridrich Egyenes, Miroslav Mikolášek, Milan Ťapajna
    Keshtkar Javad  Hotový Ivan ; 033000 Gucmann Filip Hušeková Kristína Dobročka Edmund Nádaždy Peter Egyenes Fridrich Mikolášek Miroslav ; 033000 Ťapajna Milan
    ADEPT 2022 : . S. 113-116
    nickel oxide NiO DC Magnetron Sputtering XRD Electrical resistivity
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  4. Transport properties of Si-doped β-Ga2O3 grown by liquid-injection MOCVD / aut. Fridrich Egyenes, Filip Gucmann, Edmund Dobročka, Miroslav Mikolášek, Kristína Hušeková, Milan Ťapajna
    Egyenes Fridrich  Gucmann Filip Dobročka Edmund Mikolášek Miroslav ; 033000 Hušeková Kristína Ťapajna Milan
    ASDAM 2022 : . S. 119-122
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9966793
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  5. Growth of gallium oxide on 4H-SiC using liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Javad Keshtkar, Fridrich Egyenes, Miroslav Mikolášek, Karol Fröhlich, Milan Ťapajna
    Gucmann Filip  Hušeková Kristína Dobročka Edmund Nádaždy Peter Keshtkar Javad Egyenes Fridrich Mikolášek Miroslav ; 033000 Fröhlich Karol Ťapajna Milan
    WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 7-8
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  6. Raman spectroscopy of silicon with nanostructured surface / aut. Magdaléna Kadlečíková, Ľubomír Vančo, Juraj Breza, Miroslav Mikolášek, Kristína Hušeková, Karol Fröhlich, Paul Procel, Miro Zeman, Olindo Isabella
    Kadlečíková Magdaléna ; 033000  Vančo Ľubomír ; 060700 Breza Juraj ; 030530 Mikolášek Miroslav ; 033000 Hušeková Kristína Fröhlich Karol Procel Paul Zeman Miro Isabella Olindo
    Optik . Vol. 257, (2022), Art. no. 168869 [11] s.
    black silicon Nanolayer RuO2-IrO2 SERS
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0030402622002625
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  7. Characterization of MIS photoanodes with thin Pt layer for water splitting applications / aut. Filip Chymo, Karol Fröhlich, Kristína Hušeková, Martin Weis, Miroslav Mikolášek
    Chymo Filip ; 033000  Fröhlich Karol Hušeková Kristína Weis Martin ; 033000 Mikolášek Miroslav ; 033000
    ADEPT 2021 : . S. 207-210
    MIS hydrogen Pt water splitting RuO2 Fermi level pinning
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  8. Development and characterisation of photoelectrochemical MIS structures with RuO2/TiO2 gate stacs for water oxidation / aut. Miroslav Mikolášek, Karol Fröhlich, Kristína Hušeková, Peter Ondrejka, Filip Chymo, Martin Kemény, Ivan Hotový, Ladislav Harmatha
    Mikolášek Miroslav ; 033000  Fröhlich Karol Hušeková Kristína Ondrejka Peter ; 033000 Chymo Filip ; 033000 Kemény Martin ; 033000 Hotový Ivan ; 033000 Harmatha Ladislav
    Journal of Electrical Engineering : . Vol. 72, No. 3 (2021), s. 203-207
    Water oxidation water splitting TiO2 RuO2 MIS
    https://sciendo.com/de/article/10.2478/jee-2021-0028
    článok z periodika
    ADN - 13/NOVÉ Vedecké práce v domácich časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  9. Si-based metal-insulator-semiconductor structures with RuO2-(IrO2) films for photoelectrochemical water oxidation / aut. Prangya Sahoo, Miroslav Mikolášek, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Ján Šoltýs, Peter Ondrejka, Martin Kemény, Ladislav Harmatha, Matej Mičušík, Karol Fröhlich
    Sahoo Prangya  Mikolášek Miroslav ; 033000 Hušeková Kristína Dobročka Edmund Šoltýs Ján Ondrejka Peter ; 033000 Kemény Martin ; 033000 Harmatha Ladislav Mičušík Matej Fröhlich Karol
    ACS Applied Energy Materials . Vol. 4, Iss, 10 (2021), s. 11162-11172
    https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsaem.1c02021
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  10. Growth of alpha- and beta-Ga(2)O(3)epitaxial layers on sapphire substrates using liquid-injection MOCVD / aut. Fridrich Egyenes-Pörsök, Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Michal Sobota, Miroslav Mikolášek, Karol Fröhlich, Milan Ťapajna
    Egyenes-Pörsök Fridrich  Gucmann Filip Hušeková Kristína Dobročka Edmund Sobota Michal ; 030000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Fröhlich Karol Ťapajna Milan
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 35, No. 11 (2020), Art. no. 115002 [10] s.
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.