Number of the records: 1  

Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN

  1. Title statementDistribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN
    Main entry-name Matuš, Matej (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Another responsib. Stuchlíková, Ľubica Z1 (Thesis advisor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Translated titleDistribution of electrically active defects in modern semiconductor devices based on GaN
    Issue dataBratislava : STU v Bratislave FEI, 2022
    FacultyFEI
    Date of acceptation07.06.2022
    Degreee disciplineelektrotechnika
    Degree programI-EN
    Phys.des.65 s.
    Subj. HeadingsGaN
    InAlGaN/GaN HEMT
    elektricky aktívne poruchy
    DLTFS
    MCTS
    GaN
    InAlGaN/GaN HEMT
    electrically active defects
    DLTFS
    MCTS
    CountrySlovakia
    LanguageSlovak
    URLhttps://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=4F55101800366CEF54FDC2DB109A&seo=CRZP-detail-kniha
    Document kindDDP - diplomová práca
    book

    book


Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.