Search results

  1. Characterization and evaluation of current transport properties of power SiC Schottky diode / aut. Aleš Chvála, Juraj Marek, Jakub Drobný, Ľubica Stuchlíková, Angelo Alberto Messina, Vincenzo Vinciguerra, Daniel Donoval
    Chvála Aleš ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Messina Angelo Alberto Vinciguerra Vincenzo Donoval Daniel ; 033000
    11th Solid State Surfaces and Interfaces conference : . S. 285-288
    Power SiC Schottky diode Schottky barrier height Tunneling current FEM simulation
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2214785321045168
    článok zo zborníka
    ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article

  2. Defect distribution study of p+/n- GaN diode for high power applications / aut. Matej Matuš, Juraj Marek, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Stefaan Decoutere, Herwig Hahn, Michael Heuken, Ľubica Stuchlíková
    Matuš Matej ; 030000  Marek Juraj ; 033000 Geens Karen Borga Matteo Liang Hu Decoutere Stefaan Hahn Herwig Heuken Michael Stuchlíková Ľubica ; 033000
    WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 96-97
    článok zo zborníka
    BEE - Scientific works in not noticed year-books from international undertakings, foreign year-books
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    article

    article

  3. Electrical performance degradation of power p-GaN HEMTs exposed to repetitive short circuit conditions / aut. Juraj Marek, Jozef Kozárik, Michal Minárik, Aleš Chvála, Ľubica Stuchlíková
    Marek Juraj ; 033000  Kozárik Jozef ; 033000 Minárik Michal ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
    WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP106-OP107
    článok zo zborníka
    BEE - Scientific works in not noticed year-books from international undertakings, foreign year-books
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    article

    article

  4. Skúmanie porúch v moderných tranzistorových štruktúrach pre 5G sieť
    Benc Peter ; 033000  Stuchlíková Ľubica ; 033000 (Thesis advisor)
    Bratislava :
    STU v Bratislave FEI,
    2021
    FEI ; Date of acceptation : 29.06.2021 ; Degreee discipline : elektrotechnika ; Degree program : B-ELN . - 43 s.

    https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=CF9E62B1F4156FE3B82D0284D7C8&seo=CRZP-detail-kniha
    bakalárska práca
    book

    book

  5. Skúmanie porúch v moderných tranzistorových štruktúrach pre výkonové aplikácie
    Faraga Jan ; 033000  Stuchlíková Ľubica ; 033000 (Thesis advisor)
    Bratislava :
    STU v Bratislave FEI,
    2021
    FEI ; Date of acceptation : 29.06.2021 ; Degreee discipline : elektrotechnika ; Degree program : B-ELN . - 54 s.

    https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=FD5533CA5E14D63E45B76AE9A2AD&seo=CRZP-detail-kniha
    bakalárska práca
    book

    book

  6. Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch
    Juraško Jakub ; 033000  Stuchlíková Ľubica ; 033000 (Thesis advisor)
    Bratislava : STU v BRatislave FEI, 2021
    FEI ; Date of acceptation : 29.06.2021 ; Degreee discipline : elektrotechnika ; Degree program : B-ELN . - 61 s.

    https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=FD5533CA5E14D63E45B56BE9A2AD&seo=CRZP-detail-kniha
    bakalárska práca
    book

    book

  7. Analysis of current transport mechanism in AP-MOVPE grown GaAsN p-i-n solar cell / aut. Wojciech Dawidowski, Beata Sciana, Katarzyna Bielak, Miroslav Mikolášek, Jakub Drobný, Jarosław Serafińczuk, Iván Lombardero, Damian Radziewicz, Wojciech Kijaszek, Arpád Kósa, Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Carlos Algora, Ľubica Stuchlíková
    Dawidowski Wojciech  Sciana Beata Bielak Katarzyna Mikolášek Miroslav ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Serafińczuk Jarosław Lombardero Iván Radziewicz Damian Kijaszek Wojciech Kósa Arpád ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Algora Carlos Stuchlíková Ľubica ; 033000
    Energies . Vol. 14, Iss. 15 (2021), Art. no. 4651 [18] s.
    solar cell Dilute nitrides GaAsN reciprocal lattice maps J-V-T measurements carrier transport mechanism recombination thermionic field emission DLTS spectroscopy defects nitrogen interstitial
    https://www.mdpi.com/1996-1073/14/15/4651
    článok z periodika
    ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    article

    article

  8. Degradation of power SiC MOSFET under repetitive UIS and short circuit stress / aut. Juraj Marek, Jozef Kozárik, Aleš Chvála, Michal Minárik, Ľubica Stuchlíková
    Marek Juraj ; 033000  Kozárik Jozef ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Minárik Michal ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ISPS '21 : . S. 70-75
    reliability degradation SiC MOSFET TrenchMOSFET repetitive unclamped inductive switching repetitive short circuit
    článok zo zborníka
    AFC - Reports at international scientific conferences
    article

    article

  9. How does nitrogen incorporate into GaAsN epitaxial layers? / aut. Wojciech Dawidowski, Beata Ściana, J Jadczak, A Łozińska, V Manuel, M. C López-Escalante, M Gabás, Arpád Kósa, Jakub Drobný, Ľubica Stuchlíková, Damian Radziewicz
    Dawidowski Wojciech  Ściana Beata Jadczak J. Łozińska A. Manuel V. López-Escalante M. C. Gabás M. Kósa Arpád ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Radziewicz Damian
    ADEPT 2021 : . S. 59-62
    Dilute nitrides GaAsN nitrogen interstitial defects HRXRD XPS DLTFS Raman spectroscopy
    článok zo zborníka
    AFD - Reports at home scientific conferences
    article

    article

  10. The influence of electrical stress on the distribution of electrically active defects in IGBT / aut. Jakub Drobný, Juraj Marek, Aleš Chvála, Jan Faraga, Martin Jagelka, Ľubica Stuchlíková
    Drobný Jakub ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Faraga Jan ; 030000 Jagelka Martin ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ISPS '21 : . S. 87-93
    IGBT Deep energy levels electrically active defects the impact of electrical stress Deep Level Transient Fourier Spectroscopy
    článok zo zborníka
    AFC - Reports at international scientific conferences
    article

    article