Search results
- Impact of Sputtering Power on Low Concentration Impurities in Binary Oxides : A ToF-ERDA Characterization Study aut. Filip Ferenčík, Jozef Dobrovodský, Edmund Dobročka, Pavol Noga
Ferenčík Filip ; 067000 Dobrovodský Jozef ; 067000 Dobročka Edmund Noga Pavol ; 067000
Vacuum . Vol. 240, (2025), s. 1-10
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0042207X25004087?pes=vor&utm_source=scopus&getft_integrator=scopus
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
article
- The effect of hydrogen on electrical properties of depletion-mode MOSFETs fabricated from β-Ga2O3 on 4H-SiC substrates / aut. Fedor Hrubišák, Milan Ťapajna, Ondrej Pohorelec, Fridrich Egyenes, Edmund Dobročka, Kristína Hušeková, Karol Kálna, Tibor Izsák, Ján Fedor, Filip Gucmann
Hrubišák Fedor ; 033000 Ťapajna Milan Pohorelec Ondrej Egyenes Fridrich Dobročka Edmund Hušeková Kristína Kálna Karol Izsák Tibor Fedor Ján Gucmann Filip
UWO 2025 : . [1] s.
článok zo zborníka
BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníkaarticle
- Heteroepitaxial growth of gallium oxide on silicon using liquid-injection MOCVD / aut. Miriam Krettová, Kristína Hušeková, M Wosko, Edmund Dobročka, Zdenko Zápražný, Iryna Kozak, Hemendra Chouhan, Fridrich Egyenes, Ondrej Pohorelec, Milan Ťapajna, R Paszkiewicz, Filip Gucmann
Krettová Miriam ; 033000 Hušeková Kristína Wosko M. Dobročka Edmund Zápražný Zdenko Kozak Iryna Chouhan Hemendra ; 033000 Egyenes Fridrich Pohorelec Ondrej Ťapajna Milan Paszkiewicz R. Gucmann Filip
ADEPT 2025 : . S. 111-114
Ga2O3 MOCVD AlN Si heteroepitaxy
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Investigation of the material properties of thin epitaxial Ga2O3 films grown by liquid-injection MOCVD on (111) Si with AlN buffer / aut. Miriam Krettová, Kristína Hušeková, Mateusz Wosko, Edmund Dobročka, Zdenko Zápražný, Iryna Kozak, Hemendra Chouhan, Fridrich Egyenes, Ondrej Pohorelec, Milan Ťapajna, Regina Paszkiewicz, Filip Gucmann
Krettová Miriam ; 033000 Hušeková Kristína Wosko Mateusz Dobročka Edmund Zápražný Zdenko Kozak Iryna Chouhan Hemendra ; 033000 Egyenes Fridrich Pohorelec Ondrej Ťapajna Milan Paszkiewicz Regina Gucmann Filip
ELITECH´25 : . [5] s.
Ga2O3 MOCVD AlN Si heteroepitaxy
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Structural characterization of twinning in β-Ga2O3 filament inclusions on Ga2O3 thin films epitaxially grown on sapphire substrates by MOCVD / aut. Roshan Jeevan Chidambaram, Alica Rosová, Edmund Dobročka, Kristína Hušeková, Milan Ťapajna, Filip Gucmann
Chidambaram Roshan Jeevan ; 036000 Rosová Alica Dobročka Edmund Hušeková Kristína Ťapajna Milan Gucmann Filip
ELITECH´25 : . [5] s.
Gallium oxide Epitaxy twinning m-plane sapphire
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Origin of enhanced crystal quality of (-201) beta-Ga2O3 on off-cut sapphire substrate using liquid injection-MOCVD / aut. Hemendra Chouhan, Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Milan Ťapajna, Kristína Hušeková, Miroslav Mikolášek, Fridrich Egyenes, Javad Keshtkar, Fedor Hrubišák, Michal Sobota, Peter Šiffalovič, Filip Gucmann
Chouhan Hemendra ; 033000 Dobročka Edmund Nádaždy Peter Ťapajna Milan Hušeková Kristína Mikolášek Miroslav ; 033000 Egyenes Fridrich Keshtkar Javad ; 033000 Hrubišák Fedor ; 033000 Sobota Michal Šiffalovič Peter Gucmann Filip
ADEPT 2025 : . S. 91-94
β-Ga2O3 heteroepitaxy LI-MOCVD Sapphire off-cut substrate
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Electron mobility analysis of InN/In0.61Al0.39N heterostructure after HCl treatment / aut. Roman Stoklas, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová, Edmund Dobročka, Filip Gucmann, Peter Eliáš, Alica Rosová, Matej Mičušík, Šimon Chrobák, Jan Kuzmík
Stoklas Roman Hasenöhrl Stanislav Gregušová Dagmar Dobročka Edmund Gucmann Filip Eliáš Peter Rosová Alica Mičušík Matej Chrobák Šimon Kuzmík Jan
ASDAM 2024 : . S. 50-53
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
article
- Creation of thin Ga2Se3 PN junction during the PtSe2 preparation / aut. Jozef Novák, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Alica Rosová, Edmund Dobročka, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Ivana Lettrichová, Dušan Pudiš
Novák Jozef Rosová Alica Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Dobročka Edmund Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Lettrichová Ivana Pudiš Dušan
WOCSDICE-EXMATEC 2024 : . [2] s.
článok zo zborníka
BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníkaarticle
- Gallium oxide for applications in electronics and optoelectronics / aut. F Gucmann, K Hušeková, A Rosová, E Dobročka, F Egyenes, Fedor Hrubišák, J Keshtkar, H Chouhan, M Krettová, P Eliáš, P Nádaždy, D Gregušová, O Pohorelec, A Kozak, M Ťapajna
Gucmann F. Hušeková K. Rosová A. Dobročka E. Egyenes F. Hrubišák Fedor ; 033000 Keshtkar J. Chouhan H. Krettová M. Eliáš P. Nádaždy P. Gregušová D. Pohorelec O. Kozak A. Ťapajna M.
ADEPT 2024 : . S. 13-16
Ga2O3 MOCVD electrical properties thermal properties optical properties
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Effect of off-cut sapphire substrate on the structural and optical properties of (-201) β-Ga2O3 grown by liquid-injection MOCVD / aut. H Chouhan, K Hušeková, E Dobročka, M Ťapajna, J Keshtkar, O Pohorelec, Fedor Hrubišák, Miroslav Mikolášek, F Gucmann
Chouhan H. Hušeková K. Dobročka E. Ťapajna M. Keshtkar J. Pohorelec O. Hrubišák Fedor ; 033000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Gucmann F.
ADEPT 2024 : . S. 117-120
β-Ga2O3 LI-MOCVD heteroepitaxy off-cut substrate vicinal substrate
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle