Study on electronic properties of diamond/SiNx-coated AlGaN/GaN high electron mobility transistors operating up to 500 °C

Počet záznamov: 1

Údaje o názve	Study on electronic properties of diamond/SiNx-coated AlGaN/GaN high electron mobility transistors operating up to 500 °C / aut. Oleg Babchenko, Gabriel Vanko, Michal Gerboc, Tibor Ižák, Marian Vojs, Tibor Lalinský, Alexander Kromka
Záhlavie-meno	Babchenko, Oleg (Autor)
Ďal.zodpovednosť	Vanko, Gabriel Z5 (Autor)
	Gerboc, Michal (Autor)
	Ižák, Tibor, 1982- (Autor)
	Vojs, Marian, 1979- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
	Lalinský, Tibor Z5 (Autor)
	Kromka, Alexander, 1971- (Autor)
In	Diamond and Related Materials. -- ISSN 0925-9635. -- Vol. 89, (2018), s. 266-272
Predmet.heslá	AlGaN/GaN heterostructure
	diamond film
	High electron mobility transistor
	hybrid drive
	High temperature operation
	electronic properties
Jazyk dok.	angličtina
URL	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925963518303996
Druh dok.	RBX - článok z periodika
Kategória	ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
Kategória od 2022	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
V databázach
Rok	2018

článok

citace PRO

Počet záznamov: 1