- HEMT average temperature determination utilizing low-power device ope…
Počet záznamov: 1  

HEMT average temperature determination utilizing low-power device operation

  1. Údaje o názveHEMT average temperature determination utilizing low-power device operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Záhlavie-meno Florovič, Martin, 1978- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Ďal.zodpovednosť Kováč, Jaroslav jr. 1977- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Chvála, Aleš, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Kováč, Jaroslav, 1947- Z8 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Jacquet, Jean-Claude Z6 (Autor)
    Delage, Sylvain Laurent Z6 (Autor)
    Prekl.názUrčenie priemernej teploty kanála HEMT využitím režimu nízkeho výkonu
    In IEEE Transactions on Electron Devices. -- ISSN 0018-9383. -- Vol. 69, No. 10 (2022), s. 5484-5489
    Predmet.heslá AlGaN
    average channel temperature
    charge trapping
    FET
    GaN
    HEMT
    Jazyk dok.angličtina
    URLhttps://ieeexplore.ieee.org/document/9875358
    Druh dok.RBX - článok z periodika
    KategóriaADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    Kategória od 2022V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    V databázach
    Rok2022
    článok

    článok

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.