Počet záznamov: 1
Heteroepitaxial growth of gallium oxide on silicon using liquid-injection MOCVD
Údaje o názve Heteroepitaxial growth of gallium oxide on silicon using liquid-injection MOCVD / aut. Miriam Krettová, Kristína Hušeková, M Wosko, Edmund Dobročka, Zdenko Zápražný, Iryna Kozak, Hemendra Chouhan, Fridrich Egyenes, Ondrej Pohorelec, Milan Ťapajna, R Paszkiewicz, Filip Gucmann Záhlavie-meno Krettová, Miriam, 1997- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Ďal.zodpovednosť Hušeková, Kristína (Autor) Wosko, M. (Autor) Dobročka, Edmund, 1955- Z5 (Autor) Zápražný, Zdenko, 1980- (Autor) Kozak, Iryna (Autor) Chouhan, Hemendra, 1992- Z3 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Egyenes, Fridrich (Autor) Pohorelec, Ondrej, 1995- (Autor) Ťapajna, Milan, 1977- (Autor) Paszkiewicz, R. (Autor) Gucmann, Filip, 1987- (Autor) In ADEPT 2025 [257 s.] / International conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (ADEPT 2025). -- Žilina : Vydavateľstvo EDIS, 2025. -- ISBN 978-80-554-2208-4. -- S. 111-114 Predmet.heslá Ga2O3 MOCVD AlN Si heteroepitaxy Jazyk dok. angličtina Druh dok. RZB - článok zo zborníka Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória od 2022 V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok 2025 
článok
Počet záznamov: 1