Ga2O3. MOCVD. AlN. Si. heteroepitaxyKrettová, Miriam, 1997- Heteroepitaxial growth of gallium oxide on silicon using liquid-injection MOCVD / aut. Miriam Krettová, Kristína Hušeková, M Wosko, Edmund Dobročka, Zdenko Zápražný, Iryna Kozak, Hemendra Chouhan, Fridrich Egyenes, Ondrej Pohorelec, Milan Ťapajna, R Paszkiewicz, Filip Gucmann. Hušeková, Kristína. Wosko, M.. Dobročka, Edmund, 1955-. Zápražný, Zdenko, 1980-. Kozak, Iryna. Chouhan, Hemendra, 1992-. Egyenes, Fridrich. Pohorelec, Ondrej, 1995-. Ťapajna, Milan, 1977-. Paszkiewicz, R.. Gucmann, Filip, 1987- In: ADEPT 2025. -- 1. vyd.. -- 257 s.. -- 978-80-554-2208-4 International conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (ADEPT 2025). -- Žilina : Vydavateľstvo EDIS, 2025. -- S. 111-114.